1. 真空系统
极限真空度：通常达到 10⁻⁸ 托（Torr）或更低（超高真空环境），以确保薄膜的高纯度和低缺陷率。
抽气时间：从大气到工作真空（如 10⁻⁶ 托）的时间通常在 30 分钟内，具体取决于设备配置（如涡轮分子泵与低温泵的组合）。
2. 沉积技术
磁控溅射（Magnetron Sputtering）：支持直流（DC）、射频（RF）或脉冲溅射，适用于金属、合金（如 Fe/Cr/Co）及陶瓷靶材。
离子束辅助沉积（Ion Beam Assisted Deposition, IBAD）：通过离子束轰击提升薄膜致密度和附着力，尤其适用于多层 GMR 结构。
多靶材配置：例如 Cymetra II 系统支持最多 6 个靶材，可在单次运行中沉积复杂的多层膜（如反铁磁层、钉扎层、间隔层和自由层）。
3. 基片处理
晶圆尺寸：兼容 200 mm 或 300 mm 晶圆，部分研究型设备可处理更小尺寸（如 150 mm）。
基片温度：加热范围通常为 室温至 300℃，部分型号支持更高温度（如用于退火工艺）。
基片架设计：采用 行星式旋转架构（如 Cymetra II），通过动态旋转提升薄膜均匀性，厚度非均匀性可控制在 ±1% 至 ±5% 之间。
